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公司成立于2013年7月,专注从事单片机的应用开发及生产,并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售,在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛,为您量身定制适合的芯片方案。

MOS 管本身有着诸多优势,中低压mos,但同时MOS管具备较敏感的短时过载能力,特别是在高频率的运用场景,因此在运用功率 MOS 管务必为其制定有效的保护电路来提升器件的稳定性。





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 MOS管导通的意思就是将其做为开关,等同于开关合闭。NMOS的特点是当Vgs超过限定的值时就会导通,WP中低压mos,适用与源极接地装置的状况,只需栅压电压做到4V或10V就可以了。而PMOS的特点则是当Vgs低于一定的值就会导通,适用与源极接Vcc的状况。可是,尽管PMOS能够很便捷的作为高i档驱动,但因为导通电阻器大、价钱成本高、更换类型少等缘故,在高i档驱动中,一般都用NMOS。






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分辨MOS管优劣的办法有二种:

一种:定性分辨MOS管的优劣

先用万用表R×10kΩ挡(内嵌有9V或15V充电电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅,源极中间电池充电,这时万用表表针有轻度偏转。再改成万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(D),正笔接源极(S),万用表标示值若为几欧母,则表明MOS管是好的。

第二种:定性分辨结型MOS管的电级

将万用表拨至R×100档,红表笔随意接一个脚管,黑表笔则接另一个脚管,使第三脚悬在空中。若发觉表针有轻微的晃动,就证实第三脚为栅极。欲得到更显著的观查实际效果,还可电子振动挨近或是用手指触碰悬在空中脚,只需见到表针作大幅偏转,即表明悬在空中脚是栅极,其他二脚分别是源极和漏极。






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